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10月9日，韩国总统府通报称，美国已同意允许三星电子和SK海力士向其在中国的工厂提供设备，无需其他许可。 这意味着三星电子和SK海力士无需单独批准即可向中国工厂供应包含美国技术的半导体设备。 值得一提的是，全球第一大和第二大存储芯片制造商三星电子和SK海力士已深耕中国市场多年。
此外，市场消息称，存储芯片价格已经触底，三星等国际大厂正计划涨价。 预计价格上涨主要集中在DRAM（动态随机存取存储器）芯片领域。 二级市场上，10月9日，半导体板块逆势反弹，存储芯片领涨。 其中，好商号录得涨停，连涨4板； 同友科技、江波龙、东芯股份、德明利、力源信息等领涨。
值得注意的是，台积电3nm芯片突然被曝良率较低，引发市场担忧。 据韩媒援引消息人士透露，三星电子和台积电的3nm半导体良率目前仅为50%左右。 另外，有分析人士称，15系列手机的发热问题可能是由于台积电3nm工艺的缺陷所致。
半导体重大新闻
10月9日，韩国总统府通报称，美国已同意允许三星电子和SK海力士向其在中国的工厂提供设备，无需其他许可。 这意味着三星电子和SK海力士无需单独批准即可向中国工厂供应包含美国技术的半导体设备。
韩国总统府首席经济秘书崔相武在记者会上表示，美国政府已做出最终决定，无限期免除三星电子和SK海力士向其在中国的工厂提供半导体设备，而无需提供半导体设备。其他许可证。
崔尚木透露，美国已将此决定通知三星电子、SK海力士等相关企业，即日起生效。
三星在一份声明中表示：“通过与相关政府的密切协调，与我们在中国的半导体生产线运营相关的不确定性已大大消除。”
SK海力士还表示：“我们欢迎美国政府延长出口管制法规豁免的决定。我们相信这一决定将有助于全球半导体供应链的稳定。”
回首2022年10月，拜登政府实施全面出口管制措施，禁止美国企业向中国芯片制造商出口生产芯片所需的设备。 它还规定，三星电子和SK海力士需要获得许可才能将美国芯片制造设备引入中国。
韩国《中央日报》分析称，由于美国的技术管制和出口限制，韩国正在失去中国庞大的半导体市场。 如果中国半导体独立加速，高度依赖半导体产业的韩国经济将不可避免地遭受损失。 韩国今年国家税收将比预期少59万亿韩元（约合人民币3247亿元）。 主要原因之一是半导体公司业绩不佳。
在强烈反对下，三星和SK海力士在中国的工厂在没有向美国政府申请额外许可证的情况下获得了进口相关设备的豁免权。 豁免期为一年，截至今年10月11日。
2023年9月27日，韩联社报道称，美国预计无限期延长韩国芯片制造商三星和SK海力士在中国工厂进口美国芯片设备的豁免权。
根据无限期豁免，商务部将把这两家芯片制造商添加到其“经过验证的最终用户”（VEU）名单中，该名单表明哪些实体可以接收各种美国技术的出口。 一旦添加到列表中，芯片制造商将不再需要针对单独的出口案件获得新的许可证。
值得一提的是，作为全球第一大和第二大存储芯片制造商，三星电子和SK海力士已深耕中国市场多年。 其中，三星电子在中国西安生产NAND闪存，SK海力士在其无锡工厂生产DRAM芯片，在大连生产NAND闪存。 两家公司均已投资数十亿美元。
Trend Force的数据显示，截至2023年6月，这两家韩国公司控制着全球动态半导体存储器（DRAM）近70%的份额和闪存芯片（NAND）市场50%的份额。
涨价信号
近日，据多家媒体报道，存储芯片价格已经触底，三星等国际大厂正计划涨价。 预计价格上涨主要集中在DRAM（动态随机存取存储器）芯片领域。
据韩国经济日报报道，三星电子近期与小米、OPPO、谷歌等主要智能手机客户签署了存储芯片供应协议。 协议中，DRAM和NAND闪存芯片的价格将比现有合同价格上涨10-20%。
业内预计，下半年随着国产手机品牌不断推出新品、推出系列，上游出货压力将逐渐缓解，存储芯片调整周期即将结束，整个存储芯片市场有望迎来拐点。
二级市场上，10月9日，半导体板块表现相对较好，存储芯片领涨。 好商号实现涨停，并已连续4个交易日录得涨停。 冠石科技、万润科技涨停，江波龙暴涨7%以上，紧随其后的是东芯、力源信息、巨辰、德明利、兆易创新等。
据消息称，三星电子将减少平泽第3工厂（P3）的投资规模，并大幅削减DRAM和NAND Flash的生产规模。 其中，NAND扩产规模可能会缩减至原计划的三分之一。 三星电子的一项调查显示，各领域客户存储库存的调整已基本完成。
今年以来，三星坚定实施减产战略。 今年1月和4月，先后宣布调整晶圆投资。 最初的减产措施主要集中在DRAM领域，随后三星下半年开始大幅削减NAND Flash业务的产量。
分析人士指出，三星的目标是扩大减产规模，减少供应，进而提高产品价格以寻求逆转。 三星预计，从2024年开始，部分地区将出现DRAM和NAND Flash的供应短缺。
SK证券研究员韩东熙认为，三星第二波减产计划和利润优先政策有望带动存储芯片价格反弹。
台积电意外消息负面
据韩国媒体报道，消息人士称，三星电子和台积电的3nm半导体良率目前仅为50%左右。 这个水平还不足以引起硬件厂商的重视。
报道称，据一位熟悉三星的人士透露，明年要赢得高通等大客户的3纳米移动芯片订单，良率需要提高到至少70%。
至于台积电，虽然是唯一一家拥有3nm量产记录的公司，但产量也低于最初预期。 有分析称，台积电的3nm工艺采用与上一代工艺相同的结构，可能“无法控制”过热问题。
值得一提的是，自苹果15/Pro系列手机发布以来，不少用户反映手机过热，相关话题登上热搜并引发热议。 近日，有分析人士称，15系列手机发热问题可能是由于台积电3nm工艺缺陷所致。 台积电在3nm工艺中采用了与上一代工艺相同的结构，未能很好地控制过热问题。
苹果坚称发热问题纯粹是软件问题，并发布了iOS 17的补丁来解决该问题。
此前，天风国际分析师郭明錤在社交平台发文解释苹果15 Pro手机目前的过热问题，并表示“与台积电3nm工艺无关”。 主要原因可能是为了让重量更轻，所以在散热系统设计上做了妥协，比如散热面积更小、采用钛合金，影响散热效果等。
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