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今年以来，三星一直奉行减产策略，并在1月和4月相继宣布调整晶圆投资。 最初的减产措施主要集中在DRAM领域。 后来到了下半年，三星开始大幅削减NAND Flash业务的产量。 现在它正试图使 NAND 价格正常化。
如今，DRAM价格有所回升，但NAND产品仍有突破空间。 三星的目标是扩大减产规模，减少供给，进而提高产品价格来寻求逆转。 它希望在明年第二季度实现NAND盈亏平衡点。
SK证券研究员韩东熙认为，三星第二波减产计划和利润优先政策有望带动存储芯片价格反弹。
值得一提的是，三星已于9月份与客户（包括小米、OPPO和谷歌）签署了存储芯片供应协议，DRAM和NAND闪存芯片的价格较之前的合同价格上涨了10%-20%。 三星电子预测，从第四季度开始，存储芯片市场可能会出现供不应求的情况。
此外，原厂近期已通知下游厂商，将提高第四季度的合同价。 不同产品的增速有所不同，但增幅几乎都在两位数水平。 其中，NAND Flash Q4合约价预计上涨10%~20%，DRAM合约价上涨约10%。
10月初，威刚董事长陈立白表示，存储芯片行业已经挣扎了两年，黑暗即将过去，2024年下半年更有可能出现缺货的情况。他认为，随着三大存储芯片巨头积极减产，效益开始显现，近期NAND和DRAM现货价格已从低谷反弹两位数。
业内买家和卖家目前正在协商合同价格。 陈立白预计，第四季度DRAM和NAND Flash的合约价将上涨10%-15%。 三星甚至计划将价格提高20%。 交易价格仍有待观察。
从行业供给端来看，中信证券预计2023年行业供给增速将低于需求增速，供需逐步达到平衡，有利于库存修复。 乐观认为存储板块周期将在2023年下半年见底。需求方面，终端厂商目前处于去库存后期，预计全年出货量将呈现先低后高的态势。 我们看好2023年下半年至2024年下游需求的复苏趋势。
总体而言，分析师预计下半年需求将随着库存减少而逐步回归，行业细分龙头有望迎来业绩复苏机会。 他们看好国内存储产业链周期性复苏和国产化趋势下的投资机会。 建议关注：1）存储模块； 2）存储芯片设计； 3）存储支撑芯片。
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