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全文如下
存储｜RAM价格全线上涨，看好未来高端产品涨价的可持续性。
从行业周期来看，存储供需在海外大厂的掌控下逐渐改善，主流存储价格自23Q3以来持续回升。 我们看好23下半年产业链公司业绩探底回升以及24全年持续向好。 国内厂商主要专注于小众存储设计或主流存储模组。 23Q2，大部分存储厂商毛利率已达近年来最低水平，库存见顶，营收/出货量环比增长，部分厂商利润环比改善。 我们预计，随着 23 下半年库存的减少，需求将逐渐恢复。 未来，行业细分龙头有望看到业绩复苏的机会。 我们看好国内存储产业链周期性复苏和国产化趋势下的投资机会。
▍DRAM：9月份大部分产品价格上涨，环比下降-1.04~+23.81%。 从2021年高点（3-6月）到2023年低点（7-9月）累计跌幅为69~86%。 ，触底后累计涨幅为0~26%。
高端DRAM（DDR5）合约价稳定，主流DRAM（DDR4）价格由降转升，大部分产品价格有所上涨。 9月增减-1.04~+23.81%（8月增减-6.12~+6.45%）。 ，利基DRAM（DDR3）价格上涨5.26~23.81%（8月份下降2.06~4.55%），目前价格正在反弹。 尽管市场依然供过于求，但原厂家决心控产。 我们认为DRAM价格的增长和可持续性仍取决于需求的实际复苏。 数据显示，23Q3 DRAM跌幅已缩小至0~5%； 预计23Q4 DRAM合约价将止跌反弹，涨幅3~8%。 每个下游DDR5的增幅都将超过DDR4。 其中，DRAM（X）供应略显紧张，预计增幅将达到5~10%，超过平均增幅。
▍NAND Flash：9月份NAND Flash价格持续反弹，环比涨幅0.00~+19.87%（512Gb价格连续三个月环比上涨，256Gb价格上涨连续两个月环比上涨，128Gb价格保持稳定）。 本轮高点已21年(8月)至2023年(7-8月)累计跌幅47~72%，触底后累计涨幅0~30%。
据CFM闪存行情显示，8月初至10月13日，512Gb Wafer价格从1.51美元上涨至1.81美元，涨幅达20%。 报告称，由于原厂严格控制产能，预计第四季度NAND Flash合约价格将全线上涨。 ，增幅约为8~13%，其中3D NAND Wafer将增幅13~18%。
▍存储模组方面：9月份大部分存储模组产品价格上涨。 目前的高点是2023年3月22日至10月10日累计跌幅45~64%（SSD&DDR4）。 触底后累计涨幅0~18%。 。
根据CFM闪存行情，截至10月10日，DDR4 UDIMM（8GB 3200）已从约10.2美元涨至12美元，涨幅约为18%，OEM SSD（512GB SATA）已从约19美元涨至22美元，涨幅约为18%。约18%。 约16%，大部分产品价格都有所上涨。 据报道，受益于新款智能手机的推出和季节性备货，以及原厂报价强劲，预计eMMC和UFS模组Q4合约价将上涨10%至15%。 整体来看，组件产品单价在三季度末已经开始回升。 我们认为，随着下游需求持续复苏，同时原厂积极限产且上游硅片价格处于复苏阶段底部，组件板块盈利能力有望持续恢复。
▍价格传导分析：晶圆价格上涨已传导至组件现货端，9月份组件端涨幅进一步扩大。
5月份以来，美国、韩国厂商大幅减产后，部分供应商开始上调晶圆报价； 由于多数供应商已经开始减产，Q3库存压力有所减轻，且三星等原厂报价态度较强，Q3合约价格出现了较大幅度的反弹，刺激了买家的采购意愿，加速了两者之间的平衡。供需。
8月底以来，晶圆端的涨价已经开始传导至组件端。 从CFM闪存市场来看，SSD、EMMC、UFS等大部分模块产品都出现了不同幅度的上涨，并且这种情况一直持续到9月，涨幅进一步扩大。
展望未来，我们预计 10 月份价格将持续上涨。 但短期内供需关系尚未发生根本性变化，涨幅可能较为狭窄。 我们认为，晶圆合约价格在本次复苏涨价周期中表现较为温和、持续，对于判断行业整体供需关系的走势更具参考意义。 我们预计23Q3 NAND各方面的涨价将持续到23Q4； 随着DRAM产量的持续减少以及下游服务器市场的复苏，预计23Q4 DRAM价格将继续上涨。
▍台湾厂商高频数据：
主流内存价格仍面临较大压力。 台湾存储器市场的主要企业，如旺宏、华邦、南亚、功率半导体等，营收均出现同比下滑。 但进入三季度，受益于市场回暖和部分产品价格上涨。 9 除旺宏外所有公司月营收均环比增长：旺宏9月营收同比-39.58%，环比-3.84%； 华邦9月营收同比-7.96%，环比+5.32%； 南亚科技9月营收同比-15.03%，环比+5.80%； 功率半导体9月营收同比-41.83%，环比+0.84%。
▍供给端：针对行业供给过剩，主流原厂决心控产，库存水平有望持续恢复。
根据公司业绩交流会显示，美光资本支出计划将削减至70亿美元，同比-40%以上，并在2024年之前进一步削减DRAM和NAND产量30%； SK海力士的资本支出计划将同比削减50%以上。 决定进一步削减NAND产量5-10%； 西部数据预计资本支出大幅下降，三星平泽和西安工厂扩大减产； 我们预计23H2主要厂商库存消耗将加速，促使半导体行业整体形势向好。 量产扩产方面，美光计划于2024年初开始大批量出货HBM3E，并正在进行认证； 三星电子计划明年初量产第9代NAND； 三星和SK海力士预计将加快增加DDR5产量的步伐。
从历史周期来看，资本支出的增速与市场规模的增速密切相关。 由于各大存储厂商相继下调2024年资本支出计划并降低利用率，我们预计2024年行业供给增速将低于需求增速。 以较快的速度，供需将逐渐达到平衡，有利于库存修复。 我们乐观地认为，存储行业周期将在2023年下半年触底，并在2024年稳步反弹。
▍需求端：下游厂家“降本去库存”趋势持续，看好需求逐步恢复。
2022年需求疲软下行业库存将持续上升，23H1行业库存将持续去库存。 具体来看，海外市场和IoT品类中低端产品的需求较好。 Q2供应链去库存接近尾声，下游客户逐步恢复采购货品； 手机中高端产品需求稳定，低端产品需求更具弹性（性价比突出）。 供应链部分细分品类库存去库存进展顺利，已进入补货阶段； 23Q2 PC库存持续去库存，23H2需求有望进一步回暖； 传统服务器行业仍处于去库存阶段。
我们认为终端厂商目前处于去库存后期，全年出货量预计先降后升。 我们看好23H2至2024年下游需求的复苏趋势：
1）服务器端，我们预计23Q3需求有望实现环比增长，看好23H2 DDR5服务器需求增量。 同时，AI服务器DRAM和NAND的容量需求分别是传统的6~8x和3x；
2）PC方面，我们预计2023年PC出货量同比出现低位下滑；
3）手机及智能终端方面，我们预计2023年智能手机出货量同比下降中位数，年内先低后升，库存逐季改善；
4）汽车端稳步增长。 我们预计23季度工业市场将初步复苏，23下半年行业库存和需求有望继续改善。
▍危险因素：
下游需求恢复不及预期； 芯片价格持续下跌； 行业竞争加剧； 新技术研发进展缓慢； 国际地缘政治冲突等
▍投资建议：
我们看好存储价格将在海外原厂控产引导下温和回升，行业细分龙头有望有机会修复业绩。 从行业周期来看，存储供需在海外大厂的掌控下逐渐改善，主流存储价格自23Q3以来持续回升。 我们看好23下半年产业链公司业绩探底回升以及24全年持续向好。 国内厂商主要专注于小众存储设计或主流存储模块。 23Q2，大部分存储厂商毛利率已达近年来最低水平，库存见顶，营收/出货量环比增长，部分厂商Q2利润率有所提升。
我们预计，随着 23 下半年库存的减少，需求将逐渐恢复。 未来，行业细分龙头有望看到业绩复苏的机会。 我们看好国内存储产业链周期性复苏和国产化趋势下的投资机会。 建议关注：1）存储模块； 2）存储芯片设计； 3）存储配套芯片。
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