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随着各路资本不断注入人工智能，高带宽内存（HBM）供不应求。 包括英伟达、AMD、微软和亚马逊在内的全球科技巨头正在竞标SK海力士的第五代高带宽内存HBM3E。 近日，HBM“拯救”了这家存储芯片巨头的财报。 三星电子存储业务DS部门第二季度亏损收窄。 SK海力士第二季度销售额超出分析师预期。 该公司表示，生成式AI市场的扩大迅速推升了对AI服务器内存的需求，因此增加了HBM3和DDR5等高端产品的销量。 从二级市场表现来看，HBM概念的A股上市公司也有所上涨。 本月迄今为止最大累计涨幅分别为157%、158%和136%。
美光科技此前曾表示，AI服务器对DRAM和NAND的容量需求分别是传统服务器的8倍和3倍。 存储芯片按照断电后数据是否丢失可以分为易失性存储芯片和非易失性存储芯片。 最常见的易失性存储芯片是DRAM，最常见的非易失性存储芯片是NAND闪存芯片和NOR闪存芯片。 据WSTS统计，2021年存储芯片市场中，DRAM将占61%，NAND Flash将占36%，其他存储芯片仅占3%。
东方财富证券2月研报指出，DRAM市场龙头企业有三星、SK海力士、美光等，中国大陆代表企业有长鑫存储、福建晋华等； NAND Flash市场龙头企业为三星，Armor NOR Flash市场龙头企业为华邦电子、旺宏电子、兆易创新，中国大陆代表企业主要为兆易创新。
▌全球存储芯片三大龙头SK海力士、三星、美光纷纷在业绩研报中反弹指出价格、供需、空间吹响了行业复苏的号角
HBM是目前数据处理速度最快的DRAM产品。 它是一款基于3D堆叠工艺的DRAM内存芯片。 多个DDR芯片与GPU堆叠封装在一起，可以实现更高的带宽、更高的位宽、更低的功耗。 尺寸较小。 最新财报显示，三大DRAM内存芯片龙头SK海力士、三星和美光的业绩已经开始反弹。 三星电子23Q2营收因智能手机出货量下降而下滑，但其存储业务较上一季度有所改善。 官方表示，这主要是由于公司专注于HBM和DDR5产品； 该季度其销售额为7.31万亿韩元（约合57亿美元），同比下降47%，但超出分析师预测的6.05万亿韩元。 尽管HBM目前占SK海力士营收的比例还不到1%，但今年这一比例预计将上升至10%； 美光23Q2业绩结束连续三个季度的下滑，迎来反弹。 此外，中国台湾原厂月度业绩也持续环比改善。
天风证券潘伟7月17日发布的研报指出，近期内存芯片利好拐点或已出现，复苏的号角似乎已在耳边。 从历史周期来看，存储行业的周期约为3-4年。 自本周期开始以来，价格阶段性见顶。 目前价格已连续6个季度下调，正处于周期底部阶段。
价格方面，今年二季度以来，不少供应商发出筑底信号。 首先，三星和美光通知经销商不再接受低价DRAM订单，并拒绝接受低于4月份的报价。 5月，有消息称，长江存储原厂闪存正式开始涨价3-5%后，三星电子、SK海力士等都在考虑上调报价。 6月下旬，供应商中，只有三星愿意提前进行cSSD（消费级固态硬盘）交易，经销商希望供应商做出让步，但均遭到拒绝。
潘伟指出，供需方面，美光6月宣布预计减产至2024年。此前，原厂已大幅削减资本支出。 如果正常生产周期为3-4个月，第二季度供应减少的影响将明显减弱。 、Q3加速。 南亚分公司表示，公司在部分应用领域有紧急订单。 近期，华邦电子消费电子、电视、物联网三大应用需求回暖，工控相关订单也持续升温。 客户紧急订单纷至沓来，而且“货量很大”。
另外，空间方面，短期来看，从23Q2开始存储芯片规模可能会逐季增长，长期来看，AI催化的存储需求有望数倍增长。 地缘政治方面，海外主要厂商逐渐退出利基市场，美光事件加速本土替代。
▌内存芯片将在触底前两个季度出现反转或“迟到”。 机构预计 DRAM 的复苏速度将快于 NAND Flash。 多家A股上市公司跨界布局
值得注意的是，当前的存储芯片行业似乎从多个角度确认即将见底，但760亿的A股龙头兆易创新的股价却“保持平静”。 事实上，即将到来的逆转甚至是“姗姗来迟”。 近日，市场研究公司Yole更新了一份存储芯片市场监测数据报告。 在Yole最初的预测中，全球存储芯片市场将在2023年第二季度开始复苏，但其最新报告指出，对于2023年第三季度的存储芯片市场无需抱有太大希望。 乐观估计，市场将从今年第四季度开始回暖。
然而，Yole 并不是唯一一家预测存储市场将在即将到来的第四季度复苏的公司。 据台湾经济日报和科技新闻报道，援引美国市场研究机构最新发布的报告，美光、西部数据等存储芯片供应商认为产品价格已跌至谷底，并已开始取消型号提前以折扣价批量交易，甚至开始抬高价格。 该研究机构预计，从第三季度开始，存储芯片价格跌幅将收窄，部分产品合同价格可能从第四季度开始上涨。 不同产品线情况不同，明年有望全面复苏。
从市场消息来看，DRAM的复苏可能比NAND Flash更快。 根据最新预测，第三季度NAND Flash整体均价持续下跌约3%-8%，预计第四季度将回升。 第三季度DRAM平均价格跌幅将收敛于0-5%。 半导体行业纵横7月25日发表文章《内存芯片冷风即将停止》，指出DRAM三季度触底，NAND再等一季。 此前，有产业链人士表示，三星、SK海力士和美光都希望提高第三季度DRAM订单合同价，目标涨幅为7%-8%。 但由于终端市场尚未出现明显复苏迹象，上下游拉锯迹象明显。 NAND方面，近期市场传出上游NAND厂商计划从7月份开始涨价。
此外，据国家网信办5月消息，在中国存储市场占据较大份额的美光科技未能通过网络安全审查。 平安证券研报指出，2022年美光在中国大陆的营业收入为33.11亿美元。 分析师指出，如果美光在中国的业务受到限制，利基存储市场自然会首先受益。 在技术壁垒相对较低的小众存储领域，兆易创新是发展最快、实力最强的公司。 此外，车载存储龙头北京君正、国内SLC NAND领域龙头东芯也有望受益。 在下游存储模组行业，江波龙、佰维在全球市场也具有较强的竞争力。 其中，江波龙eMMC和UFS产品全球市场份额为6.5%，位居全球第六、中国第一； 佰维eMMC和UFS全球市场份额为2.4%，位居全球第八、中国第二。 两家公司的主要供应商都包括美光科技。
分析师指出，虽然存储芯片下游的库存压力依然存在，但根据各大厂商动态以及行业分析数据来看，底部已在即。 资料显示，香农新创和国芯科技等多家厂商纷纷跨界布局。 不过，分析人士也指出，即使算上现有的国内存储企业兆易创新、北京君正、东芯、普亚，目前国内存储产品大多处于SSD模组和NOR Flash级别。 难以触及国际厂商大力推动的高端DRAM市场，这使得国内存储厂商难以享受增量市场的红利，需要顺应存储市场的供需趋势。
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