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①三星责令暂停第六代V-NAND成熟工艺存储芯片报价，1.6美元以下停止出货； ②NAND Flash上涨趋势下，大陆内存模组厂近期暂停报价和接单，原厂报价上调8%-10%； ③买家仍在观望，涨价效果还有待观察，尤其是主流存储芯片报价上涨可能会延迟。
内存芯片报价持续下跌，厂商无法承受损失。
据台湾商报今日报道，三星下令暂停第六代V-NAND成熟工艺存储芯片的报价，并停止出货1.6美元以下的芯片。
两大厂商均私下证实了这一消息，并表示“该产品此前1.45-1.48美元的低价今后不会再出现”，这意味着存储芯片价格全面看涨，预计在供应链提货周期的配合下进入报价。
据台湾电子时报昨日消息，在NAND Flash上涨趋势下，大陆内存模组厂商近期已暂停报价及接单，并将原厂报价上调8%-10%。 尽管买家和卖家仍处于拉锯阶段，但行业涨价方向日渐清晰，NAND价格逐渐向制造成本线靠拢。
值得注意的是，三星内部计划将暂停 P1生产线，预计将持续至少一个月或更长时间。 该生产线主要产品为128层堆叠第六代V-NAND成熟工艺产品。
在过去的一年多时间里，三星作为主力一直在积极销售V6产品。 由于V6产能较大，目前库存水平仍相当高，但销售带来成效，也将有助于减轻短期出货压力。
由于存储芯片厂商积极推动去库存，不时需要特定的存储芯片模块来接货。 台媒指出，此前有报道称，大陆三大模组厂商第二季度与三星签订大单。 每家公司将承接6000万片512Gb IC，并将在未来六个月内完成批量采购。 成本价约为1.45美元。
近期NAND涨价传闻不断，不少中小客户打算在涨价前以较低价格备货。 随着原厂减产行动的发酵，内存芯片模组厂商也配合涨价，这将有助于推动OEM客户重新开始备货。
另外，从存储芯片行业近期释放的信号来看，行业景气度确实出现了触底迹象。
例如，封测厂南茂在2023年下半年展望中明确指出，DRAM订单已恢复，NAND模组厂也恢复接单，2024年有望进入复苏周期。 存储芯片控制IC设计商汇融科技也指出，公司第三季度营收预计环比增长15%-20%，毛利率将保持稳定。
NAND Flash跌势有望收敛，但涨价效果仍有待观察
展望第三季度，进入传统备货旺季后，NAND报价跌幅有望进一步放缓。 预计第三季度NAND Flash报价将环比下跌3%-8%，且跌幅收敛。
内存芯片厂商指出，整体来看，内存芯片报价已见底，各大厂商已开始减产。 预计三季度开始生效，报价并未全线下跌。 在AI趋势的推动下，HBM需求激增。 价格也不错，预计2024年内存芯片报价回归上行周期，概率相当大。
不过，存储芯片短期出货量有望反弹的预期，部分原因是15等手机品牌即将推出新品。 但目前终端需求疲软。 虽然新款15系列将在秋季推出，但最新的行业报告预计目标产量将下降至7700万台。 对电子行业的影响可能尚不清楚。
因此，虽然产业链已经开始暂停报价，并打算提高报价，但买家仍在观望，涨价效果还有待观察，尤其是主流存储芯片报价上涨的时间可能会延迟。
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